分析影響u盤傳輸速度兩大因素

2016-12-06 13:15

　　我們?cè)谑褂胾盤過程中，有時(shí)候會(huì)遇到u盤傳輸速度很慢的情況，而u盤主要是由主控芯片和flash芯片組成，所以影響u盤傳輸速度因素也就分為控芯片和flash芯片，接下來就給大家分析影響u盤傳輸速度的兩大因素。

　　因素一：Flash芯片速度差別大

　　首先，就芯片問題來說，目前市場(chǎng)上存在著SLC、MLC以及TLC三種。SLC芯片優(yōu)盤在速度上有明顯的優(yōu)勢(shì)，充分顯示了SLC芯片的強(qiáng)大性能。SLC芯片在載入速度以及數(shù)據(jù)傳輸速度上有著強(qiáng)大的優(yōu)勢(shì)，在能耗上SLC也要低于MLC。此外，由于SLC芯片可以保證十萬次左右的穩(wěn)定存取，因此它有著更長(zhǎng)久的使用壽命。

　　MLC架構(gòu)可以一次儲(chǔ)存4個(gè)以上的值，因此MLC架構(gòu)的儲(chǔ)存密度較高，并且可以利用老舊的生產(chǎn)程備來提高產(chǎn)品的容量，無須額外投資生產(chǎn)設(shè)備，擁有成本與良率的優(yōu)勢(shì)。與SLC相比較，MLC生產(chǎn)成本較低，容量大。

　　SLC與MLC參數(shù)對(duì)比

　　TLC芯片技術(shù)是MLC和TLC技術(shù)的延伸，TLC架構(gòu)正式問世后，1個(gè)存儲(chǔ)器儲(chǔ)存單元可存放3位元，成本進(jìn)一步大幅降低。在TLC成功推廣的道路上，閃存大廠東芝與三星可是立下汗馬功勞，使得整個(gè)TLC技術(shù)大量被量產(chǎn)且應(yīng)用在終端產(chǎn)品上。TLC芯片雖然儲(chǔ)存容量變大，成本低廉許多，但因?yàn)樾芤泊蟠蛘劭?，因此僅能用在低階的NAND Flash相關(guān)產(chǎn)品上，象是低速快閃記憶卡、小型記憶卡microSD或隨身碟等。

　　SLC、MLC、TLC對(duì)比

　　從上面的介紹中，我們看到SLC、MLC與TLC技術(shù)的優(yōu)劣之處在哪，也可以得出這樣一個(gè)結(jié)論：MLC是今后NAND Flash的發(fā)展趨勢(shì)，就像CPU單核心、雙核心、四核心一樣，MLC技術(shù)通過每Cell存儲(chǔ)更多的bit來實(shí)現(xiàn)容量上的成倍跨越，直至更先進(jìn)的架構(gòu)問世。SLC的成本傷不起，TLC則更有可能引起數(shù)據(jù)的安全隱患，所以選擇MLC的優(yōu)盤更靠譜。

　　因素二：u盤主控影響很重要

　　另外，就目前市場(chǎng)上u盤使用的主控來說，有以下幾種：擎泰、群聯(lián)、慧榮、聯(lián)盛、鑫創(chuàng)、安國與芯邦主控。每一種主控運(yùn)用在不同品牌優(yōu)盤上，其特性也不一樣，這也是為什么不同品牌產(chǎn)品之間存在差異。主控不同，但是都沒能使USB3.0的優(yōu)勢(shì)充分發(fā)揮出來，我們期待著u盤主控不斷優(yōu)化與發(fā)展，使得USB3.0發(fā)揮真正快速的作用。

　　影響u盤傳輸速度的兩大因素就分析到這邊，現(xiàn)在大家都了解了吧，希望此教程對(duì)大家有所幫助。

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